Bipolartransistor BD180G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD180G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD180G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD180G ist der BD179G.

SMD-Version des Transistors BD180G

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD180G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD180G

Sie können den Transistor BD180G durch einen BD180, BD790, BD792, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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