Bipolartransistor BD238G
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD238G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
- Verlustleistung, max: 25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD238G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BD238G ist der
BD237G.
SMD-Version des Transistors BD238G
Der
BCP53 (SOT-223),
BCP53-10 (SOT-223),
BCP53-16 (SOT-223),
BCX53 (SOT-89),
BCX53-10 (SOT-89) und
BCX53-16 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD238G-Transistors.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD238G
Sie können den Transistor BD238G durch einen
2N6036,
2N6036G,
2SB1067,
2SB1149,
2SB1149-K,
2SB1149-L,
2SB1149-M,
2SB1167,
2SB1167-Q,
2SB1167-R,
2SB1167-S,
2SB1167-T,
2SB1168,
2SB1168-Q,
2SB1168-R,
2SB1168-S,
2SB1168-T,
BD180,
BD180-10,
BD180-6,
BD180G,
BD238,
BD380,
BD380-10,
BD380-16,
BD380-25,
BD380-6,
BD442,
BD442G,
BD680,
BD680A,
BD680AG,
BD680G,
BD682,
BD682G,
BD780,
BD790,
BD792,
KSB1149,
KSB1149-G,
KSB1149-O,
KSB1149-Y,
KSE172,
KSE702,
KSE703,
MJE172,
MJE172G,
MJE250,
MJE251,
MJE253,
MJE253G,
MJE271,
MJE271G,
MJE702,
MJE702G,
MJE703 oder
MJE703G ersetzen.
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