Bipolartransistor BD376-6

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 100
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD376-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD376 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD376-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD376-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD376-25 im Bereich von 150 bis 375.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD376-6 ist der BD375-6.Sie können den Transistor BD376-6 durch einen 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, 2N5194, 2N5194G, BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD378-6, BD380, BD380-6, BD438, BD438G, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251 oder MJE252 ersetzen.