Bipolartransistor BD376

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 375
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD376 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 375 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD376-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD376-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD376-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD376-6 im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD376 ist der BD375.Sie können den Transistor BD376 durch einen BD132, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD380, MJE235 oder MJE252 ersetzen.