Bipolartransistor 2SB861C

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB861C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB861C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB861C kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB861 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB861B im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB861C-Transistor könnte nur mit "B861C" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB861C ist der 2SD1138C.

SMD-Version des Transistors 2SB861C

Der PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89), PBHV9115Z (SOT-223) und PBHV9215Z (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB861C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB861C

Sie können den Transistor 2SB861C durch einen 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SA1930, 2SB546, 2SB546A, 2SB546A-K, 2SB547, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940, 2SB940-P, 2SB940A, 2SB940A-P, KSB546, KTB1369, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com