Bipolartransistor 2SB861

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB861 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB861B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB861C im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB861-Transistor könnte nur mit "B861" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB861 ist der 2SD1138.Sie können den Transistor 2SB861 durch einen 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SB546, 2SB546A, 2SB547, 2SB630, 2SB940, 2SB940A, KSB546, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.