Bipolartransistor 2SB546A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB546A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB546A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB546A kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB546A-K liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB546A-L im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB546A-M im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB546A-Transistor könnte nur mit "B546A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB546A ist der 2SD401A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB546A

Sie können den Transistor 2SB546A durch einen 2SB546, 2SB547, 2SB630, KSB546, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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