Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB630-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB630-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB630-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB630 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB630-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB630-S im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB630-Q-Transistor könnte nur mit "B630-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB630-Q ist der 2SD610-Q.
