Bipolartransistor 2SB546

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB546

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB546

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB546 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB546-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB546-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB546-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB546-Transistor könnte nur mit "B546" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB546 ist der 2SD401.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB546

Sie können den Transistor 2SB546 durch einen 2SB547, KSB546, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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