Bipolartransistor KTB1369

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTB1369 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1369O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KTB1369Y im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1369 ist der KTD2061.Sie können den Transistor KTB1369 durch einen 2SA1668, 2SA1859A, 2SB940A, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 oder MJE5851G ersetzen.