Bipolartransistor KSB546

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB546

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB546 transistor

Pinbelegung des KSB546

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB546 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB546-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KSB546-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSB546-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB546 ist der KSD401.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB546

Sie können den Transistor KSB546 durch einen 2SB546, 2SB547, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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