Bipolartransistor 2SB940-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB940-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB940-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB940-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB940 liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SB940-Q im Bereich von 60 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB940-P-Transistor könnte nur mit "B940-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB940-P ist der 2SD1264-P.

SMD-Version des Transistors 2SB940-P

Der PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89), PBHV9115Z (SOT-223) und PBHV9215Z (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB940-P-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB940-P

Sie können den Transistor 2SB940-P durch einen 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SA1930, 2SB546, 2SB547, 2SB940A, 2SB940A-P, KSB546, KTB1369, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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