Bipolartransistor 2SB511-F

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB511-F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB511 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB511-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB511-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB511-E im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB511-F-Transistor könnte nur mit "B511-F" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB511-F ist der 2SD325-F.Sie können den Transistor 2SB511-F durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SB1185, 2SB1185F, 2SB1187, 2SB1187-F, 2SB1375, 2SB1565, 2SB1565-F, 2SB1566, 2SB1566-F, 2SB507, 2SB507F, 2SB514, 2SB514F, 2SB632K, 2SB632K-F, 2SB857, 2SB857-D, 2SB858, 2SB858-D, BD202, BD204, BD240, BD240A, BD242, BD242A, BD244, BD244A, BD302, BD304, BD534, BD536, BD540, BD540A, BD544, BD544A, BD546, BD546A, BD736, BD738, BD796, BD798, BD808, BD948, BD950, BDT82, BDT82F, D44C4, D44C5, D44C6, D44C7, D44C8, D44C9, D45C4, D45C5, D45C6, D45C7, D45C8, D45C9, D45H8, KSB1366 oder KSB1366-G ersetzen.