Bipolartransistor 2SB857

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB857 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB857-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB857-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB857-D im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB857-Transistor könnte nur mit "B857" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB857 ist der 2SD1133.Sie können den Transistor 2SB857 durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA770, 2SA771, 2SB633, 2SB858, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP oder D45H8 ersetzen.