Bipolartransistor 2SB507F

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB507F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB507F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB507F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB507 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB507C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB507D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB507E im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB507F-Transistor könnte nur mit "B507F" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB507F ist der 2SD313F.

SMD-Version des Transistors 2SB507F

Der 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) und BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB507F-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB507F

Sie können den Transistor 2SB507F durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1634-F, 2SA1635, 2SA1635-F, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1187-F, 2SB1375, 2SB1565, 2SB1565-F, 2SB633, 2SB633-F, 2SB858, 2SB858-D, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSB1366, KSB1366-G, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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