Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1566-F
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB1566-F
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1566-F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1566 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des 2SB1566-E im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1566-F-Transistor könnte nur mit "B1566-F" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1566-F ist der 2SD2395-F.
SMD-Version des Transistors 2SB1566-F
Der 2SB1123 (SOT-89), 2SB1124 (SOT-89), 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) und BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1566-F-Transistors.