Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB511-E
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB511-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB511-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB511 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB511-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB511-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB511-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB511-E-Transistor könnte nur mit "B511-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB511-E ist der 2SD325-E.