Bipolartransistor 2SB1187-F

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1187-F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1187 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB1187-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1187-E im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1187-F-Transistor könnte nur mit "B1187-F" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1187-F ist der 2SD1761-F.Der NZT660 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1187-F-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1187-F durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1634-F, 2SA1635, 2SA1635-F, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SA771, 2SB1375, 2SB1565, 2SB1565-F, 2SB507, 2SB507F, 2SB633, 2SB633-F, 2SB858, 2SB858-D, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSB1366, KSB1366-G, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.