Bipolartransistor 2SB1185

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1185

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1185

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1185 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1185D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1185E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1185F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1185-Transistor könnte nur mit "B1185" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1185 ist der 2SD1762.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1185

Sie können den Transistor 2SB1185 durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB507, 2SB633, 2SB857, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP oder D45H8 ersetzen.
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