Bipolartransistor KSB1366-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 150 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1366-G kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1366 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KSB1366-Y im Bereich von 100 bis 200.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1366-G ist der KSD2012-G.Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB1366-G-Transistors.Sie können den Transistor KSB1366-G durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1375, 2SB1565, 2SB507, 2SB633, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.