Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB1366-Y
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des KSB1366-Y
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSB1366-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1366 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KSB1366-G im Bereich von 150 bis 320.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1366-Y ist der KSD2012-Y.
SMD-Version des Transistors KSB1366-Y
Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB1366-Y-Transistors.