Bipolartransistor 2SB834

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB834

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB834

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB834 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB834GR liegt im Bereich von 150 bis 300, die des 2SB834O im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB834Y im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB834-Transistor könnte nur mit "B834" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB834 ist der 2SD880.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB834

Sie können den Transistor 2SB834 durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB507, 2SB633, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, KTB988, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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