Bipolartransistor 2SB824

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB824

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB824

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB824 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB824-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB824-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB824-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB824-Transistor könnte nur mit "B824" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB824

Sie können den Transistor 2SB824 durch einen 2SA1289, 2SA1290, 2SA1291, 2SA1469, 2SA1470, 2SA1471, 2SA770, 2SA771, 2SB1134, 2SB1135, 2SB1136, 2SB633, 2SB825, 2SB826, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D45H11, D45H11FP oder D45H8 ersetzen.
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