Bipolartransistor 2SB761

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB761

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB761

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB761 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB761-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SB761-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SB761-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB761-Transistor könnte nur mit "B761" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB761 ist der 2SD856.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB761

Sie können den Transistor 2SB761 durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB507, 2SB633, 2SB761A, 2SB762, 2SB762A, 2SB942, 2SB942A, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD936, BD936F, BD938, BD938F, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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