Transistor bipolaire MJ11013

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -90 V
• Tension collecteur-base maximum: -90 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11013 est le MJ11014.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11013 par MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 ou MJ11033G.Le transistor MJ11013G est la version sans plomb du MJ11013.