Transistor bipolaire KSB1366-G

Caractéristiques électriques du transistor KSB1366-G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 150 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 9 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du KSB1366-G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB1366-G peut avoir un gain en courant continu de 150 à 320. Le gain en courant continu du KSB1366 est compris entre 100 à 320, celui du KSB1366-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KSB1366-G

Le transistor NPN complémentaire du KSB1366-G est le KSD2012-G.

Version SMD du transistor KSB1366-G

Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSB1366-G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB1366-G

Vous pouvez remplacer le transistor KSB1366-G par 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1375, 2SB1565, 2SB507, 2SB633, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 ou MJE15029G.
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