Transistor bipolaire KSB810-G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -30 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 400
• Fréquence de transition minimum: 160 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSB810-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSB810 est compris entre 70 à 400, celui du KSB810-O entre 70 à 140, celui du KSB810-Y entre 120 à 240.Le transistor NPN complémentaire du KSB810-G est le KSD1020-G.Le 2SA1588 (SOT-323), 2SA1588-GR (SOT-323), BC808 (SOT-23), BC808-25 (SOT-23), BC808-25W (SOT-323), BC808W (SOT-323), KTA1505 (SOT-23), KTA1505GL (SOT-23), KTA1505S (SOT-23) et KTA1505S-GL (SOT-23) est la version SMD du transistor KSB810-G.Vous pouvez remplacer le transistor KSB810-G par 2N4953, 2N4954, 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SA952, 2SA952-K, 2SB1116, 2SB1116-K, 2SB1229, 2SB1229-T, 2SB564, 2SB564K, 2SB598, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116, KSB1116-G, KSB1116S, KSB1116S-G, KSB564AC, KSB564ACG, KSB811 ou KSB811-G.