Caractéristiques électriques du transistor KSD1020-G
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
Tension collecteur-base maximum: 30 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
Gain de courant (hfe): 200 à 400
Fréquence de transition minimum: 170 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92S
Brochage du KSD1020-G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSD1020-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSD1020 est compris entre 120 à 400, celui du KSD1020-Y entre 120 à 240.
Complémentaire du transistor KSD1020-G
Le transistor PNP complémentaire du KSD1020-G est le KSB810-G.