Transistor bipolaire KSB1116
Caractéristiques électriques du transistor KSB1116
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
- Gain de courant (hfe): 135 à 600
- Fréquence de transition minimum: 120 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SB1116 transistor
Brochage du KSB1116
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSB1116
Version SMD du transistor KSB1116
Transistor KSB1116 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSB1116
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