Transistor bipolaire BDX66B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -16 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDX66B est le BDX67B.Vous pouvez remplacer le transistor BDX66B par BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G ou MJ4032.