Transistor bipolaire BDT41B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 6 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 75
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT41B est le BDT42B.Vous pouvez remplacer le transistor BDT41B par BD709, BD711, BD909, BD911, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.