Transistor bipolaire BDT41BF

Caractéristiques électriques du transistor BDT41BF

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT41B transistor

Brochage du BDT41BF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT41BF

Le transistor PNP complémentaire du BDT41BF est le BDT42BF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT41BF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT41BF par BD709, BD711, BD909, BD911, BDT41B, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com