Transistor bipolaire MJE5181

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
• Tension collecteur-base maximum: 140 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 6 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE5181 est le MJE5171.Vous pouvez remplacer le transistor MJE5181 par MJE5182, TIP41E, TIP41F, TIP42E ou TIP42F.