Transistor bipolaire BDT41C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 140 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 6 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 75
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT41C est le BDT42C.Vous pouvez remplacer le transistor BDT41C par BD711, BD911, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.