Transistor bipolaire BDT42B

Caractéristiques électriques du transistor BDT42B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDT42B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT42B

Le transistor NPN complémentaire du BDT42B est le BDT41B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT42B

Vous pouvez remplacer le transistor BDT42B par BD710, BD712, BD910, BD912, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, MJE5170, MJE5171, MJE5172, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF ou TIP42CG.
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