Transistor bipolaire MJE5182

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 6 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE5182 est le MJE5172.Vous pouvez remplacer le transistor MJE5182 par TIP41F ou TIP42F.