Transistor bipolaire BDT41CF

Caractéristiques électriques du transistor BDT41CF

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 140 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT41C transistor

Brochage du BDT41CF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT41CF

Le transistor PNP complémentaire du BDT41CF est le BDT42CF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT41CF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT41CF par BD711, BD911, BDT41C, MJE5180, MJE5181, MJE5182, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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