Transistor bipolaire BD176-10

Caractéristiques électriques du transistor BD176-10

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -45 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 63 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD176-10

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD176-10 peut avoir un gain en courant continu de 63 à 160. Le gain en courant continu du BD176 est compris entre 40 à 250, celui du BD176-16 entre 100 à 250, celui du BD176-6 entre 40 à 60.

Complémentaire du transistor BD176-10

Le transistor NPN complémentaire du BD176-10 est le BD175-10.

Substituts et équivalents pour le transistor BD176-10

Vous pouvez remplacer le transistor BD176-10 par 2SB744, 2SB744A, BD132, BD178, BD178-10, BD180, BD180-10, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251 ou MJE252.
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