Transistor bipolaire BD175-10
Caractéristiques électriques du transistor BD175-10
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
- Tension collecteur-base maximum: 45 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 63 à 160
- Fréquence de transition minimum: 3 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du BD175-10
Classification de hFE
Complémentaire du transistor BD175-10
Substituts et équivalents pour le transistor BD175-10
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