Transistor bipolaire BD175-10

Caractéristiques électriques du transistor BD175-10

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 45 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 63 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD175-10

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD175-10 peut avoir un gain en courant continu de 63 à 160. Le gain en courant continu du BD175 est compris entre 40 à 250, celui du BD175-16 entre 100 à 250, celui du BD175-6 entre 40 à 60.

Complémentaire du transistor BD175-10

Le transistor PNP complémentaire du BD175-10 est le BD176-10.

Substituts et équivalents pour le transistor BD175-10

Vous pouvez remplacer le transistor BD175-10 par 2SD794, 2SD794A, BD131, BD177, BD177-10, BD179, BD179-10, BD179G, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, BDX35, BDX36, BDX37, KSD794, KSD794A, KSE181, KSE182, MJE181, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE223, MJE225, MJE240, MJE241 ou MJE242.
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