Transistor bipolaire MJ10001

Caractéristiques électriques du transistor MJ10001

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
  • Tension collecteur-base maximum: 500 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 20 A
  • Dissipation de puissance maximum: 175 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 600
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du MJ10001

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com