Transistor bipolaire 2N6677

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
• Tension collecteur-base maximum: 550 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 175 W
• Gain de courant (h_fe): 8
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6677 par 2N6547, 2N6678, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC2920, 2SC3058, 2SC3058A, BUX48, BUX48A, BUX48B, BUX48C, MJ10000 ou MJ10001.