Transistor bipolaire 2SB600-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
• Tension collecteur-base maximum: -200 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB600-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB600 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB600-Q entre 100 à 200, celui du 2SB600-S entre 40 à 80.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB600-R peut n'être marqué que B600-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB600-R est le 2SD555-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB600-R par 2SA909, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB723, 2SB723-B, MJ15012 ou MJ15012G.