Transistor bipolaire MJ10000

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
• Tension collecteur-base maximum: 450 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 20 A
• Dissipation de puissance maximum: 175 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 600
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJ10000 par MJ10001.