Transistor bipolaire MJ15011G
Caractéristiques électriques du transistor MJ15011G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
- Tension collecteur-base maximum: 250 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 10 A
- Dissipation de puissance maximum: 200 W
- Gain de courant (hfe): 20 à 120
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
- Le MJ15011G est la version sans plomb du transistor MJ15011
Brochage du MJ15011G
Complémentaire du transistor MJ15011G
Substituts et équivalents pour le transistor MJ15011G
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