Transistor bipolaire MJ15011G

Caractéristiques électriques du transistor MJ15011G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
  • Tension collecteur-base maximum: 250 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 120
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le MJ15011G est la version sans plomb du transistor MJ15011

Brochage du MJ15011G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJ15011G

Le transistor PNP complémentaire du MJ15011G est le MJ15012G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJ15011G

Vous pouvez remplacer le transistor MJ15011G par 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, BUY69A, BUY69B, BUY70A, BUY70B, MJ12022 ou MJ15011.
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