Transistor bipolaire 2SB826-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -12 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 70 à 140
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB826-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SB826 est compris entre 70 à 280, celui du 2SB826-R entre 100 à 200, celui du 2SB826-S entre 140 à 280.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB826-Q peut n'être marqué que B826-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SB826-Q est le 2SD1062-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB826-Q par 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1328, 2SA1328-O, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1451, 2SA1451-O, 2SA1451A, 2SA1451A-O, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SB1136, 2SB1136-Q, BD546A, BD546B, BD546C, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 ou BDT86F.