Transistor bipolaire 2SB703A-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB703A-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB703A-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB703A-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB703A est compris entre 40 à 200, celui du 2SB703A-Q entre 100 à 200, celui du 2SB703A-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB703A-R peut n'être marqué que B703A-R.

Complémentaire du transistor 2SB703A-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB703A-R est le 2SD743A-R.

Version SMD du transistor 2SB703A-R

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB703A-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB703A-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB703A-R par 2N6475, 2N6476, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SB1016, 2SB1090, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010O, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G ou NTE292.
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