Caractéristiques électriques du transistor 2SB1229-S
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -2 A
Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
Gain de courant (hfe): 140 à 280
Fréquence de transition minimum: 150 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SB1229-S
Le 2SB1229-S est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1229-S peut avoir un gain en courant continu de 140 à 280. Le gain en courant continu du 2SB1229 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1229-R entre 100 à 200, celui du 2SB1229-T entre 200 à 400, celui du 2SB1229-U entre 280 à 560.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1229-S peut n'être marqué que B1229-S.
Complémentaire du transistor 2SB1229-S
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1229-S est le 2SD1835-S.