Transistor bipolaire 2N6130

Caractéristiques électriques du transistor 2N6130

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2N6130

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6130

Le transistor PNP complémentaire du 2N6130 est le 2N6133.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6130

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6130 par 2N5496, 2N6131, 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 ou MJF3055G.
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