Transistor bipolar 2SB816-E

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -150 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
• Disipación de Potencia Máxima: 80 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 100 a 200
• Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -40 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB816-E puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB816 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB816-D estará en el rango de 60 a 120.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB816-E puede estar marcado sólo como "B816-E".El transistor NPN complementario del 2SB816-E es el 2SD1046-E.Puede sustituir el 2SB816-E por el 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1633-E, 2SA1788, 2SA1788-E, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, 2SB966, 2SB966-Q, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJW1302A o MJW1302AG.