Transistor bipolar KTB817B

Características del transistor KTB817B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -140 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB817 transistor

Diagrama de pines del KTB817B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTB817B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 200. La ganancia del KTB817B-O estará en el rango de 60 a 120, para el KTB817B-Y estará en el rango de 100 a 200.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KTB817B es el KTD1047B.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTB817B

Puede sustituir el KTB817B por el 2SB1162, 2SB1163, 2SB817, KTB817, MJW1302A o MJW1302AG.
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